具體凈化工藝對溫度的要求，由于加工精度越來越精細，對溫度波動范圍的要求越來越??；要求的濕度值一般較低，因為出汗后會污染產品，尤其是怕鈉的半導體車間，不宜超過25度。

濕度過大會導致更多的問題。當相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會發(fā)生凝結。如果發(fā)生在精密器件或電路中，會造成各種事故。相對濕度50%時容易生銹。此外，當濕度過高時，附著在硅片表面的灰塵會被空氣中的水分子化學吸附在表面，很難去除。相對濕度越高，越難去除粘附物。然而，當相對濕度低于30%時，由于靜電力，顆粒容易吸附在表面上，并且大量的半導體器件容易被擊穿。硅晶片生產的最佳溫度范圍是35-45%。